TG-S4型双室CVD沉积与PVD磁控溅射镀膜机综述
本机有两个真空室,一个作CVD沉积用,另一个作PVD磁控溅射镀膜用,真空室为小型前开门箱式结构,两个真空室尺寸:Φ400mmX400mm。真空度:2X10-4Pa。 主要配置:CVD室沉积部位加温达900℃,反应气体发生装置加热达300℃±1℃。PVD室装两个RF{或DC}磁控靶{Φ75或Φ100},基片加热温度650℃,基片盘可转动。本机可镀各种膜(单层或多层),包括功能膜。抽气系统配F-250分子泵,2X-30机械泵,两室共用一套抽气系统。 该机可供大专院校、科研所和工厂作教学和科研等用